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GaN系の「窒化物半導体応用研究会」が開催

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GaN系半導体の開発状況、応用技術に関する講演が
科学技術交流財団が、第9回の「窒化物半導体応用研究会」を、10月29日に名古屋で開催する。

今回は、GaN系バルク結晶成長とGaN系デバイス応用について、その開発状況、応用技術に関する講演を行うもの。

窒化物半導体応用研究会

窒化物半導体についてもっと知りたい、窒化物半導体を利用した製品を開発したい、窒化物半導体の応用に積極的に関わりたい、といった企業や大学の研究者などに参加を呼びかけている。

なお、参加費は無料(懇親会参加費3,000円)で、定員は200名となっている。

<開催概要>
日 時 10月29日(金) 13:00~17:10
会 場 名古屋大学 IB電子情報館大講義室
     (名古屋市千種区不老町)※会場変更の場合あり
会 費 無料
定 員 200名
詳 細 下記リンクより


外部リンク

開催案内書
http://www.astf.or.jp/cluster/event/workshop/20101029/101029annai.pdf


Amazon.co.jp : 窒化物半導体応用研究会 に関連する商品



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